Oxford ICPCVD proses modülü, düşük alttaş hasarı ile üstün film kalitesi sağlayan yüksek yoğunluklu remote plazma teknolojisi ile düşük büyütme sıcaklıklarında yüksek kaliteli filmler üretmek için tasarlanmıştır.

• Mükemmel homojenlik, yüksek verim ve yüksek hassasiyetli prosesler
• Yüksek kaliteli filmler
• Geniş sıcaklık aralıklı elektrot
• 200 mm’ye kadar tüm wafer boyutlarıyla uyumlu
• Wafer boyutları arasında hızlı değişim
• Düşük sahip olma maliyeti ve servis kolaylığı
• Kompakt boyutlu, esnek yerleşim
• 400°C veya 1200°C’ye kadar kapasiteye sahip dirençli ısıtmalı elektrotlar
• Yerinde hazne temizleme 
• Filmlerin sıvı prekürsör kullanarak kaplanmasını sağlayan esnek buhar dağıtım modülü, örn. TTIP kullanarak TiO2, TEOS kullanarak SiO2.

Daha fazla bilgi için tıklayınız.